次世代パワーモジュールの開発動向と高温接合技術【LIVE配信】

習得できる知識

＜第1講＞

• パワーデバイスの最新技術動向(Si-IGBT, SiCデバイスを中心に)
• 新構造IGBT（RC-IGBT）の特長、Si-IGBT実装技術
• SiC-MOSFETの最新デバイス・実装技術
• Si-IGBTならびにSiC-MOSFETの今後の見通し

＜第2講＞

• パワー半導体の高温動作の必要性
• 接合技術に求められる要件
• 接合技術の概況とトピックス
• 接合材料の評価方法

セミナープログラム

第1講　パワーデバイスの開発動向と高温実装技術の必要性

（10：00～12：00）

＜趣旨＞
近年、世界各国で自動車の電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはPHEVやEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。自動車の電動化性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが依然主役として活躍している。本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説し、高温実装技術のご利益について説明する。

＜プログラム＞

1. パワーエレクトロニクスとは？
   1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
   2. パワー半導体の種類と基本構造
   3. パワーデバイスの適用分野
   4. シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
   5. 高温動作のメリットは？
2. 最新シリコンIGBTの進展と課題
   1. IGBT開発のポイント
   2. IGBT特性改善を支える技術
   3. IGBT特性向上への挑戦
   4. 最新のIGBT技術
      • 逆導通IGBT（RC-IGBT）
      • 高温化パッケージ技術
      • 大口径ウェハ（300mmΦ）適用

1. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. 半導体デバイス材料の変遷
   2. ワイドバンドギャップ半導体とは？
   3. SiCのSiに対する利点
   4. SiC-MOSFET特性改善、信頼性向上のポイント
   5. SiC-MOSFET最新技術
2. 高温対応実装技術
   1. 高温動作ができると何がいいのか
   2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
   3. ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
3. まとめ

第2講　次世代パワー半導体高温動作用接合技術

（13：00～15：00）

＜趣旨＞
パワー半導体の接合がなぜ必要で、どうような要件があり、現状ではどのような技術があるかを説明します。また、さまざまな実装材料がある中で、接合材料のみの特性をどのように評価したら良いか、特に信頼性の評価方法についてお話しします。

＜プログラム＞

1. EV/HV技術
2. 次世代パワー半導体
3. パワー半導体高温動作用接合技術
   1. 接合技術に求められる要件
   2. 接合技術の概況
   3. 接合技術のトピックス
      1. Cuナノ粒子接合
      2. 高融点はんだ接合
      3. 合金接合
4. 接合技術の特性評価
   1. 試料構造
   2. 初期特性
   3. 信頼性

スケジュール
10：00～12：00　【第1講】
12：00～13：00　昼食の休憩時間
13：00～15：00　【第2講】

キーワード：パワー,デバイス,半導体,モジュール,高温,接合,実装,SiC,IGBT,Cuナノ粒子

セミナー講師

【第1講】国立大学法人筑波大学 数理物質系 教授・博士(工学)　岩室 憲幸　氏
【第2講】大同大学 工学部 電気電子工学科　教授・博士(工学)　山田 靖　氏

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、
　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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受講について

配布資料

• 開催前日までにお送りいたします。
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