ミストCVD技術の開発と今後の可能性

～大気圧下における高品質機能膜形成のために～

高品質で大面積化が求められる様々な薄膜の作製を可能にするミストCVD法の基礎知識と今後の展望を解説します！

講師

高知工科大学 総合研究所
ナノテクノロジー研究センター
准教授 博士 (工学) 　川原村 敏幸 氏

受講料

R&D会員登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円（税込）から
★1名で申込の場合、47,250円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円（2人目無料）です。

(まだR&D会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)

趣旨

　大気圧下で大面積に亘り高品質な機能膜を形成するための技術として開発してきたミストCVDに関して、経緯、歴史、作製膜の特性、デバイス、ミストCVDに関する物理、次世代へ向けた開発の方向性等、詳しく説明します。　

プログラム

１．緒言
　1.1 自己紹介
　1.2 高知工科大学について

２．機能膜作製技術の現状とこれからの開発ポイント
　2.1 どういった物に利用されているのか
　2.2 それらを作製するシステムの大きさやコストについて
　2.3 省エネプロセスの必要性とそれが達成されない理由
　2.4 大気圧下で対象とする機能膜を形成する為のポイント

３．液滴を発生させる方法
　3.1 各種液滴の発生法
　3.2 一般環境下で薄膜を形成するために適した液滴発生法とは

４．ミストを利用した機能膜形成技術「ミストCVD」の特徴
　4.1 ミスト法とは
　4.2 一般の成膜法とミストCVD法の立場
　4.3 超音波噴霧を利用した機能膜形成技術の歴史
　4.4 ミストCVDの種類

５．ミストCVDの物理１
　5.1 均質膜を作製する為の３つの手段
　5.2 液滴のライデンフロスト状態

６．ミストCVDで作製出来る機能膜
　6.1 これまでに形成できた薄膜種
　6.2 酸化亜鉛(ZnO)
　6.3 酸化ガリウム(Ga2O3)
　6.4 酸化アルミニウム(AlOx)
　6.5 酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)
　6.6 有機膜
　6.7 層状硫化モリブデン(MoS2)

７．ミストCVDで作製したデバイス
　7.1 大気圧手法により作製された酸化物TFTの現状
　7.2 ミストCVDによるIGZO TFTの作製
　7.3 特性および最適化
　7.4 組成比による特性の差

８．ミストCVDによる量子素子の作製とその特徴
　8.1 大気圧下で量子井戸が形成できる理由
　8.2 作製した量子井戸の特徴

９．ミストCVDの物理２
　9.1 ミスト同士は衝突しない
　9.2 複合反応の抑制
　9.3 組成制御技術

１０．まとめ
　10.1 まとめ
　10.2 ミストCVDの可能性
 
【質疑応答・名刺交換】

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