【名古屋開催】ＣＭＰ技術の基礎

講師

(株)ＩＳＴＬ　代表取締役社長　博士（工学） 礒部 晶 氏

受講料

43,200円 ( S&T会員受講料 41,040円 )

(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)

【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額 の21,600円）】
※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

趣旨

　ＣＭＰがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたＣＭＰも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なＣＭＰ工程の特徴を紹介し、それに用いられるスラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、ＣＭＰによる材料除去のメカニズムを理解することにより、パッドやスラリーのあるべき姿を考察する。シリコン、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＬＴ／ＮＴなどの基板のＣＭＰについてもその現状と、将来の方向性について言及する。

プログラム

１．ＣＭＰの基礎
　○ＣＭＰ平坦化工程の分類
　　・ＩＬＤ
　　・Ｗプラグ
　　・ＳＴＩ、Ｃｕダマシン
　○平坦化メカニズム
　　・グローバル平坦化
　　・ローカル平坦化
　○最新のＣＭＰ応用工程
　　・ｈｉｇｈｋメタルゲート
　　・ＦｉｎＦｅｔ
　○各種スラリーの基礎
　　・砥粒の種類～アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒
　　・工程別スラリーの特徴
　　・ＳＴＩ Ｗプラグ Ｃｕ／バリア
　○各種研磨パッドの基礎
　　・研磨パッドの種類
　　・パッド物性と研磨特性の関係
　　・パッド解析手法

２．各種基板のＣＭＰ
　○Ｓｉ
　○サファイア
　○ＳｉＣ
　○ＧａＮ
　○ＬＴ／ＬＮ

３．ＣＭＰの材料除去メカニズム
　○研磨メカニズムモデルの歴史
　○Ｆｅｒｅｔ径モデル
　○Ｆｅｒｅｔ径モデルの数値計算による妥当性検証
　○モデルに基づく開発のヒント

まとめ

 □質疑応答□