ＦＯＷＬＰの現状・技術動向と今後の展開

～ＩｏＴ、ＡＩ時代の電子デバイスモジュールは「中間領域プロセス」の深化、進化、真価により大きく変貌する～

★ＦＯＷＬＰは一時的なブームで終わるのか？これから本格的な淘汰が始まるのか？材料やデバイス・各分野において、どのように対応していけば良いのか、開発の指針は？
ＦＯＷＬＰ及び関連する基本的プロセスを紐解き、今後の展望を探ります！

講師

東芝メモリ（株） メモリ事業部　プロセス技術開発主幹 博士（工学）　江澤 弘和 先生

【講師ご略歴】
　１９８５年（株）東芝入社。半導体材料開発部門を経て、ＬＳＩプロセス開発部門に転籍後３０年以上に亘り、先端デバイスの微細配線形成開発に従事。並行して、中間領域プロセスによる半導体デバイスの三次元集積化開発に従事。２０１１年に同社メモリ事業部へ転籍後、ＴＳＶ、ＷＬＰ等の中間領域技術を用いたメモリモジュールの製品化開発に従事し、現在に至る。

受講料

1名46,440円(税込（消費税8％）、資料・昼食付)
＊1社2名以上同時申込の場合 、1名につき35,640円
＊学校法人割引 ；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

セミナーポイント

　講演者は、縁あって、２０１０年から台湾の小さなＦａｎ−Ｏｕｔ　ＷＬＰ（以下ＦＯＷＬＰ）の製造受託企業において、ｅＷＬＢと異なる思想のＦＯＷＬＰプロセスの量産技術の確立、生産性向上、歩留り向上の支援を続けておりましたが、２０１４年前半頃までは、お会いした関係者の多くの皆様から、大手のＯＳＡＴですらＦＯＷＬＰへの投資を既存の８インチラインで打ち止めにしており、ＦＯＷＬＰの市場拡大は見込めない、顧客がいないのに１２インチの量産ライン構築は誰もやらない、というご意見をいただきました。
　しかし、２０１４年の後半に、ある噂が実しやかに流れ始めると、あっという間に、２０１６年、ＴＳＭＣのＩｎＦＯが搭載されたｉＰｈｏｎｅが市場に投入され、ＦＯＷＬＰは一気に時代の寵児となりました。
　今年のＥＣＴＣ２０１７学会の発表論文の１／３近くがＦＯＷＬＰに何等か関係する内容で占められる状況に至る一方で、「所詮、一時のブーム。直ぐ、熱が冷める。ＴＳＶが持て囃された時と同じ。百花繚乱なのか、玉石混交なのか、打ち上げ花火の本数だけは多いが、これから本格的な淘汰が始まる。」という声も囁かれています。
　そこで本セミナーでは、ＦＯＷＬＰの市場採用と前後し、半導体デバイス製造プロセスの前工程と後工程の中間領域、半導体プロセスとパネルプロセスの中間領域、デバイス単体パッケージとデバイスモジュールの中間領域など、様々な境界領域において従来の階層構造が崩れ始めた状況を踏まえ、一旦、中間領域プロセスの基礎に立ち戻り、各工程・プロセス技術やその特徴・用いられる材料等を整理し解説します。
　その上で、ＦＯＷＬＰプロセスについて、その基本構成・プロセスから現状、パネルレベルへの移行に伴う課題等について詳しく解説し、今後の市場性や方向性について言及します。
　最近のトピックスであるＦＯＷＬＰプロセスに加え、様々な中間領域プロセスについても理解を深めることで、既存技術の延命路線に後戻りすることなく、今後、新しい価値を創出するために、私たちは何をどのように開発しなければならないのか、参加される皆様が、皆様ご自身の活躍される分野で自問され、解答を模索する時の一助となる講義になれば幸いです。

○受講対象
・バンプ、再配線、ＷＬＰ、ＴＳＶ、３Ｄインテグレーション等、特に、中間領域に用いられる材料、プロセス技術の特徴について「今さら聞けない」「もう少し知りたい」と感じていらっしゃる方や、当該分野のお客様の仰っていることが、本当は、よく分かっていないなあ、と感じていらっしゃる方。
・ＦＯＷＬＰの現状を把握しておきたいとお考えの方
・ＦＯＷＬＰの市場採用に伴い、今後の半導体製造市場がどうなるのか？また自社はどのように関わっていけば良いのかお悩みの方
　など

○受講後、習得できること
・中間領域プロセスについて「もっと深く知りたい」と意識改革が進むこと。
・Fan-Out WLP プロセス技術の基本と材料・設備
など

セミナー内容

1.半導体デバイスパッケージの変遷（プロセス技術の視座から）
　1) LSI配線階層とプロセスギャップ
　2) 異種デバイス集積化による機能創出
　3) Fan-Out WLP が求められている理由

2. Fan-Out WLPプロセスにみる半導体中間領域プロセスの深化、進化、真価
　1) 中間領域プロセスの位置付け
　　a) 従来の半導体前工程と後工程の境界領域の融合
　　b) 中間領域プロセス開発による新しい価値創出事例
　　c) 従来の半導体後工程の前工程化
　2) 体験的中間領域プロセス開発小史（８０年代後半〜００年代前半）
　3) WLPプロセスの基礎
　　a) WLPプロセスの類型分類と現状技術
　　b) Fan-In WLP プロセスフローと主要工程設備
　　c) Fan-Out WLP プロセスフローと固有設備
　　　　（Chip 1stとRDL 1stの選択）
　4) Fan-Out WLPプロセス各論
　　a) 再構成基板形成・支持基板剥離
　　b) 材料物性指標
　　c) プロセスインテグレーションの課題
　　d) 代表的な不良事例

3.生産性向上
　1) Fan-Outウエハレベルからパネルレベルへ
　　a) 必要理由
　　b) 克服すべき課題
　　　（量産ライン構築の文化ギャップ）
　2) パネルレベルプロセスの課題
　　（ウエハ形態から角型パネル形態への移行に伴う技術課題）
　3) ミニマルファブ構想とFan-Out WLP
　4）Fan-Out WLPのコストダウン

4.今後の技術動向
　1) Fan-Out WLPの市場性と応用展開
　2) 異種デバイスの三次元集積化に向けて
　3) まとめ（日本で開発をする意義）

5. Q&A