酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向と今後の展望

★現在の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況は？
★社会背景や、ＳｉＣ/ＧａＮと比較した際の特徴などから今後の開発の動向を探る！

講師

(国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター
センター長 博士(工学)　東脇 正高 氏

【講師ご略歴】
平成12年　郵政省通信総合研究所 研究員　［平成16年4月　（独）情報通信研究機構に改組］
平成19〜22年　米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校　プロジェクト研究員(情報通信研究機構より転籍出向)
平成22年　情報通信研究機構へ復帰　主任研究員、総括主任研究員を経て、平成25年よりセンター長、現在に至る

受講料

1名につき50，000円（消費税抜き・昼食・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき45，000円（税抜）〕

講演概要

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。
　また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
　本講演では、最初に現状の半導体パワーデバイス研究開発の背景について述べた後、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題、および今後の展望などについて解説する。

プログラム

1.はじめに
　1-1 パワーエレクトロニクスとは？
　1-2 次世代パワーデバイスが求められる社会的背景
　1-3 パワーエレクトロニクスについて基礎知識
  
2.酸化ガリウムの材料物性、結晶成長技術
　2-1 酸化ガリウムの特徴（SiC, GaNとの比較から）
　2-2 単結晶バルク融液成長
　2-3 エピタキシャル薄膜成長
 
  3.酸化ガリウムデバイス開発動向
　3.1 トランジスタ
　3.2 ショットキーバリアダイオード
　3.3 光デバイス（LED、紫外受光素子など）
  
4.酸化ガリウムパワーデバイスへの期待と展望　
　4.1 海外における酸化ガリウムデバイスの開発状況
　4.2 今後の課題、展望
  
【質疑応答・名刺交換】