SiCウェハ加工における大口径化対応技術と評価のポイント

ウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴・
後工程影響・加工変質層分析技術

★SiCは高硬脆性を持ち、極めて加工が難しい!量産化にむけ重要となる低コスト・高品質を両立する新しい加工技術の開発とは?
★インゴット切断から仕上げ研磨まで、SiC加工技術における現行技術から最新技術まで概説!
★SiCウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴や後工程への影響、加工変質層の分析技術についても紹介!

講師

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくば西事業所 エネルギー・環境領域
先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム　チーム長　加藤 智久 氏

【経歴】
1999年　電子技術総合研究所材料科学部 入所　SiCバルク単結晶成長技術の開発、SiC加工技術の開発
【2000年　産総研へ改組】
〜2008年　4inch大口径・長尺SiC単結晶成長技術開発(パワーエレクトロニクス研究センター)
〜2010年　SiC単結晶成長の高品質化技術、SiCの放電切断加工技術の開発(エネルギーエレクトロニクス研究ラボ)
〜2014年　NEDOプロジェクト(FUPET)での6インチSiCウェハ開発[結晶成長・ウェハ加工]開発グループリーダー(先進パワーエレクトロニクス研究センター)
2013年　ウェハプロセスチーム長　就任
2014〜現在　内閣府SIPプロジェクト「次世代パワーエレクトロニクスの総合的研究開発」SiCウェハ開発テーマリーダー

【受賞】
平成27年度砥粒加工学会賞熊谷賞

受講料

【1名の場合】27,000円(税込、テキスト費用を含む)
【2名の場合】32,400円(税込、テキスト費用を含む)
【3名以上の場合は一名につき、5,400円加算】(税込、テキスト費用を含む)
※3名以上ご要望の場合は2名を選択し、備考欄にその旨お書きくださいませ
※当社講座は、複数でのご参加を希望される場合、5,400円で何名でも追加の申し込みができますが、同一部署に限ります。なお、別途でのお申し込みは正規料金になります。ご了承ください。 
※特別割引とポイント割引など、2種類以上の割引は、同時には適用されません。

キーワード

 1.SiC　2.ウェハ加工　3.パワー半導体

講演主旨

 　炭化珪素(SiC)はシリコンに換わる省エネパワーデバイス素子として期待されている新しいワイドギャップ半導体材料である。しかし、SiCは高硬脆性を持ち極めて加工が難しく、今後、大口径SiCウェハの量産化には低コスト・高品質を両立する新しい加工技術の開発が重要である。本講演では、インゴット切断から仕上げ研磨までのSiC加工技術における現行技術から最新技術まで概説し、今後の大口径化対応、量産技術化について議論する。また、SiCウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴や後工程への影響、加工変質層の分析技術についても紹介する。

プログラム

 1.大口径SiCウェハ加工技術開発の背景と課題
　1-1　SiCの特徴とウェハ開発
　1-2　SiC加工技術の課題と目指すべき指標

2.SiCバルク単結晶の切断技術
　2-1　大口径化に伴う切断技術の課題と対策
　2-2　SiCの新しい切断法

3.SiCの研削・研磨技術
　3-1　研削・研磨による各種平坦化加工技術の課題と対策
　3-2　SiCの新しい研磨技術

4.ウェハ加工面の評価技術
　4-1　ウェハプロセスで発生する加工変質層の特徴と評価技術
　4-2　加工変質層の影響

【質疑応答・名刺交換】