ALE(アトミック レイヤー エッチング)技術の基本原理と最新動向、今後の展望【Webセミナー(アーカイブ配信)】

セミナー趣旨

　半導体加工の微細化は原子層レベルに到達しており、3次元構造化と積層化による集積度向上が加速しています。また、ポストスケーリングに向けて、新構造トランジスタや新材料の検討が進んでいます。このため今後の半導体製造では、様々な膜種を原子層レベルの寸法精度でエッチング加工する技術が重要になります。

　そこで本講座では、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ／ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説します。

習得できる知識

・半導体デバイス製造の開発動向と先端課題
・ドライ／ウェットエッチングの基礎と各種材料のエッチング
・ALE（アトミック レイヤー エッチング）の原理
・ALEの各種手法、および様々な材料のALE研究開発事例

セミナープログラム

1. 半導体デバイス製造におけるエッチング
　　　1) エッチングとは
　　　2) エッチング工程の種類

2. デバイス動向とエッチングの先端課題
　　　1) ロジック／メモリーデバイスの動向
　　　2) エッチングの歴史と先端課題

3. エッチングの基礎
　　　1) プラズマエッチング　
　　　2) ウェットエッチング

4. 従来エッチングの課題
　　　1) 面内分布
　　　2) エッチング損傷

5. アトミック レイヤー エッチング(ALE)の基礎　
　　　1) ALEの原理
　　　2) ALE手法の分類

6. 有機金属錯体反応による等方性ALE
　　　1) La2O3
　　　2) Co

7. プラズマアシスト熱サイクルによる等方性ALE
　　　1) Si3N4
　　　2) SiO2
　　　3) TiN
　　　4) W

8. ハロゲン化とイオン照射による異方性ALE
　　　1)Si

9. フルオロカーボンアシストによる異方性ALE
　　　1)Si3N4

10. 今後の課題

　　□質疑応答・名刺交換□

セミナー講師

(株)日立製作所　研究開発グループ　計測・エレクトロニクスイノベーションセンタ
　ナノプロセス研究部主任研究員　篠田 和典　氏

【専門】半導体製造プロセス　

セミナー受講料

44,000円( S&T会員受講料41,800円 )
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詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
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【1名分無料適用条件】
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※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
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１名申込みの場合：35,200円 ( S&T会員受講料 33,440円 )　
※１名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
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※他の割引は併用できません。

受講について

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・当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
・後日（開催終了後から10日以内を目途）に、メールにてご連絡申し上げます。
・視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
・視聴期間は10日間です。ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
・セミナー資料は印刷・郵送いたします。
・このセミナーに関する質問に限り、後日に講師にメールで質問可能です。（テキストに講師の連絡先を掲載）

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