ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎と高品質膜化および最新動向【WEBセミナー：オンデマンド配信】

セミナー趣旨

習得できる知識

・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます

セミナープログラム

■第１部 薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
　1.1 薄膜の種類と用途
　1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
　1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
　1.4 PVDとCVD、ALD

２．真空の基礎知識
　2.1 真空度とは
　2.2 平均自由行程とクヌッセン数
　2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計

３．PVDプロセス
　3.1 真空蒸着の基礎
　3.2 スパッタリング


■第２部 ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
　4.1 CVDプロセスの素過程
　4.2 CVDプロセスの速度論
　　4.2.1 製膜速度の温度依存性－表面反応律速と拡散律速
　　4.2.2 製膜速度の濃度依存性－１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
　4.3 CVDプロセスの均一性

５．表面・気相の反応機構解析入門
　5.1 素反応機構と総括反応機構
　5.2 気相反応の第一原理計算と精度
　5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析


■第３部 ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
　6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
　6.2 ALDプロセスの理想と現実
　　6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
　　6.2.2 ALDプロセスの均一性
　　6.2.3 ALDプロセスの量産性

７．ALDプロセスの応用と展開
　7.1 ALDプロセスの応用用途
　7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
　　7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
　　7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
　7.3 新しいALD技術
　　7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
　　7.3.2 Spatial ALD
　　7.4 ALD国際会議について


■Ｑ＆Ａ■
　このセミナーに関する質問に限り、後日に講師とZoomなどを活用して個別Q&Aをすることができます（15分程度）。
　具体的には、セミナー資料に講師のメールアドレスを掲載していますので、セミナーに関する質問がございましたら
　先ずは講師に直接メールでアポイントメント後、ZoomなどTV会議システムでQ&Aをしてください。
　（継続的なメールでのQ&Aではなく、短時間ミーティングによるQ&Aを講師が希望しています。）

セミナー講師

東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授　霜垣 幸浩 氏
【専門】
反応工学・材料工学
【主な研究内容】
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発
【活動】
・1984年から現在に至るまで，CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
・2007年より，化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として，CVD関連技術の普及・発展に寄与
・2014年開催ALD国際学会実行委員長

セミナー受講料

35,200円( S&T会員受講料33,440円 )
(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。
詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)

※資料付（3営業日以内に印刷・発送します）
※Webセミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。

受講について

【期間限定：講師とQ&Aもできる、講演収録済みWEBセミナー（オンデマンド配信）とは？】
以下の流れ・受講内容となります。

• 録画セミナーの動画をお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
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  ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
• セミナー資料は印刷・送付（データ配布禁止）いたしますので、視聴開始後に届きます。
  （申込み日から営業日3日までにすぐに発送いたします。）
• このセミナーに関する質問に限り、講師とメールにて個別Q&Aをすることができます。
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