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各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題
全国49,5002024-04-18 -
SiC・GaNパワーデバイスの持つポテンシャルを
十分に引き出すには?
周辺材料・周辺部品に求められる特性は?
最新の技術動向を徹底解説!
セミナープログラム
<11:00〜13:00>
1.SiCパワーデバイスの開発動向と周辺材料・部品への要求特性
(国研)産業技術総合研究所 山口 浩 氏
受講対象: SiC等の先進パワー素子の性能を十分に活用したいと考えている人、ならびにSiC等の先進パワー素子とともに使うための高性能な材料・部品の開発を行いたいと考えている人などを対象と想定しています。
受講後、習得できること: SiC等の先進パワー素子の活用、ならびにSiC等の先進パワー素子とともに使うための高性能な材料・部品の開発の際に考慮する必要がある材料・部品の仕様、性能評価手法、関連技術動向の把握
1.先進パワー半導体を適用したパワーエレクトロニクス技術への期待
1-1 パワーエレクトロニクスの役割
1-2 Siパワーエレクトロニクスの現状
1-3 先進パワー半導体の特徴
1-4 先進パワー半導体適用の効果
2.SiCパワーデバイスの技術開発動向
2-1 SiCパワーデバイス技術の現状
2-2 SiCパワーモジュール技術の現状
2-3 SiCパワーデバイスの使いこなし技術
3.周辺材料および部品の技術開発動向
3-1 周辺材料技術の現状と要求される特性
3-2 周辺部品技術の現状と要求される特性
4.まとめ
4-1 先進パワーエレクトロニクス技術の展望
4-2 関連する技術領域の連携の重要性
【質疑応答・個別質問・名刺交換】
<14:00〜16:00>
2.GaN-on-Siパワーデバイスの開発動向と、求められる材料の要求特性
名古屋工業大学 江川 孝志 氏
【講演概要】
最近、Si基板上のAlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイスの研究開発が注目を浴びており、民生用エレクトロニクス分野で実用化されつつある。本講座では、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説する。また、最新の研究としてSi基板上の縦型GaN p-nダイオード及びMOSFETについて紹介する。
1.MOCVDを用いたヘテロエピタキシャル成長
1-1 ヘテロエピタキシャル成長の原理
1-2 Si基板上のGaAs結晶成長
1-3 Si基板上のGaN結晶成長 〜反りの制御、厚膜化および高品質化〜
1-4 各種基板上のGaNの比較 〜Si基板の利点〜
2.GaN-on-Siのパワーデバイスへの適用
2-1 研究開発の動向
2-2 GaN-on-Siパワーデバイスの応用分野
2-3 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造
2-4 静特性、耐圧、オン抵抗
2-5 V型ピットの与える影響
3.課題と将来展望
3-1 GaN-on-Siの8インチ化
3-2 ALD法を用いた絶縁膜形成技術
3-3 ノーマリオフ特性
3-4 InAlN/GaN HEMT
3-5 縦型GaN p-nダイオード
3-6 縦型GaN MOSFET
4.GaN-on-Siのまとめ
【質疑応答・個別質問・名刺交換】
セミナー講師
- (国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究センター長 博士(工学) 山口 浩 氏
- 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター センター長 工学博士 江川 孝志 氏
セミナー受講料
1名につき69,300円(税込・昼食・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき63,800円(税込)〕
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