ＡＬＤ（原子層堆積法） の原理と薄膜形成法 〜薄膜の特性・評価および制御、最適化〜

ALDの基礎から実際のプロセス、応用展開まで詳解！
ALEt（Atomic Layer Etching）の特性、開発動向も解説します！

講師

東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授　 工学博士 霜垣 幸浩 先生

受講料

　1名46,440円(税込（消費税8％）、資料・昼食付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,640円
　　　　　 ＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

セミナーポイント

　Atomic Layer Deposition（ALD、原子層堆積法）による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition（CVD、気相薄膜形成法）と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
　このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。また、近年急速に注目を集めているALEt（Atomic Layer Etching）についても、開発動向やプロセスの特性などを解説します。
　2017年6月に開催されるBALD2017，7月に開催されるALD2017など、ALD/ALEtに関する国際会議での最新情報も速報としてご紹介する予定です。

■この講座を受講して習得できること：
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力
・エッチングへの応用としてALEtを学ぶことが出来ます。

セミナー内容

薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
　1.1 薄膜の種類と用途
　1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
　1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
　1.4 PVDとCVD、ALD

２．真空の基礎知識
　2.1 真空度とは
　2.2 平均自由行程とクヌッセン数
　2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
３．PVDプロセス
　3.1 真空蒸着の基礎
　3.2 スパッタリング

ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
　4.1 CVDプロセスの素過程
　4.2 CVDプロセスの速度論
　　4.2.1 製膜速度の温度依存性−表面反応律速と拡散律速
　　4.2.2 製膜速度の濃度依存性−１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
　4.3 CVDプロセスの均一性

５．表面・気相の反応機構解析入門
　5.1 素反応機構と総括反応機構
　5.2 気相反応の第一原理計算と精度
　5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析

ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
　6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
　6.2 ALDプロセスの歴史的展開
　6.3 ALDプロセスの理想と現実
　　6.3.1 ALDプロセスの温度依存性
　　6.3.2 ALDプロセスの均一性
　　6.3.3 ALDプロセスの量産性

７．ALDプロセスの応用と展開
　7.1 ALDプロセスの応用用途
　7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
　　7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
　　7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
　7.3 新しいALD技術
　　7.3.1 プラズマALD、ホットワイヤーALD
　　7.3.2 Spatial ALD
　　7.3.3 Atomic Layer Etching（ALEt）
　7.4 ALD関連国際会議について

＜質疑応答＞