【中止】フォトリソグラフィー・レジストセミナー～材料、プロセス、装置の評価法とトラブル対策や最新EUVレジストまで～

セミナープログラム

第1部　「フォトリソグラフィー技術のプロセス最適化と評価」

■はじめに
フォトリソグラフィー技術は、レジストの塗布、べーク、露光、現像などの工程を伴い、また、工程の途中では、膜厚測定や、屈折率測定、パターンの寸法評価、現像の面内均一性の評価など、様々なプロセス評価を伴う。本講演では、レジストの塗布から現像に至るまでのリソグラフィー技術のプロセスの概要と最適化方法について紹介する。
■ご講演中のキーワード：
フォトリソグラフィー、レジスト塗布、ベーク、露光現像、膜厚測定、プロセス評価
■受講対象者：
リソグラフィーを担当している技術者、研究者の方でビギナー～中堅クラスの方
■必要な予備知識や事前に目を通しておくと理解が深まる文献、サイトなど：
書籍　「フォトレジスト材料の評価」　サイエンス＆テクノロジー社　2013年
書籍　「リソグラフィ技術　その40年」S＆T出版　2016年
書籍　「ノボラックレジスト　材料とプロセスの最適化」S&T出版　2019年をご参照ください。
■本セミナーで習得できること：
リソグラフィーの基礎知識、フォトプロセスの最適化方法の習得、フォトプロセスの評価方法の習得

■講演プログラム：
1.リソグラフィーの概要
2.フォトレジストの塗布の概要
　2-1　フォトレジスト塗布装置の概要
　2-2　スクリーン塗布方法
　2-3　スピン塗布法
　2-4　ロールコーティング法
　2-5　ラミネーター法
　2-6　ディップコーティング法
　2-7　スプレーコーティング法
　2-8　スピン塗布プロセスの実際
　2-9 　塗布プロセスの影響
　2-10　HMDS処理
　2-11 　HMD処理の原理
　2-12 　HMDS処理効果の確認
　2-13　プリベーク
　2-14　膜厚の評価
　2-15　分光反射率計による膜厚測定（厚膜）
　2-16　エリプソ法による膜厚測定（薄膜）
3.露光装置の概要
　3-1　コンタクトアライナー
　3-2　プロキシミティー・アライナ
　3-3　ミラープロジェクション
　3-4　縮小投影露光装置
　3-5　プロキシミティー露光の光学
　3-6　ステッパの光学
　3-7　高解像化へのアプローチ
　3-8　フォトレジストの感光の原理とABCパラメータ
4．露光後べーク（PEB）の概要
　4-1　露光後ベークの概要
　4-2　PEBにおける感光剤の熱分解
　4-3　PEBによる感光剤の拡散長の測定
　4-4　感光材の拡散長とその最適化
　4-5 表面難溶化パラメータとその評価
5． 現像技術の概要
　5-1　ディップ現像
　5-2　スプレー現像
　5-3　パドル現像
　5-4　ソフトインパクトパドル現像
　5-5　現像プロセスの最適化

第2部　「レジスト材料・プロセス・装置の有効な評価法とトラブル対策」

■はじめに
　本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について、レジスト塗布技術の基礎から密着性を含む現像特性を説明し、レジスト剥離工程においては従来の剥離技術に対する新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について紹介いたします。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターンニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用している。
　本講習では、レジストの密着性を含む現像特性全般について講演するとともに、特に、レジスト剥離工程において従来の剥離技術、及び新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について紹介する。イオン注入されたレジストの構造についても言及する。
■講演中のキーワード：
　リソグラフィー、レジスト、現像特性、レジスト剥離
■受講対象者：
・ レジスト材料研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方。
・ 業務に活かすため、レジスト、レジスト剥離についての知見を得たいと考えている方
・ レジストに取り組んでいるが、感度、解像度、基盤とも密着性のような課題があり困っている方
・ 本テーマに興味のある方なら、どなたでも受講可能です。
■必要な予備知識や事前に目を通しておくと理解が深まる文献、サイトなど：
書籍「レジスト材料」（伊藤　洋著・共立出版・2005/12）
　　「短波長フォトレジスト材料」（上野　巧、岩柳隆夫、野々垣三郎・ぶんしん出版・1988/12）
　　「高分子材料化学」（吉田泰彦ら・三共出版p122～134・2001/4）
　　「ノボラックレジスト材料とプロセスの最適化」（堀邊英夫ら・S&T出版・2020/1）
などを一読すると更に理解が深まる。
■本セミナーで習得できること：
・レジストの基礎知識　・レジスト材料のノウハウ　・レジストプロセスのトラブル対処法　・リソグラーフィー技術のビジネス動向

■講演プログラム：
1. 半導体とレジストについて
　1-1． 半導体の微細化
　1-2． 電子デバイスの製造工程
　1-3． レジスト解像度とレジスト材料の変遷
　1-4．半導体プロセスにおける各種レジスト
　1-5．レジストに要求される特性
　1-6．EUVレジストに求められる特性
2. レジストの基本原理
　2-1．レジストの基本原理（光化学反応）
　2-2．レジストの現像特性（溶解性）
　2-3．リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
　2-4．i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
　2-5．KrF用、ArF用レジスト（化学増幅型）
　2-6．レジストの解像度向上
3．レジストとSi基板との密着性について
　3-1．レジストの密着性の向上
　3-2．HMDSの感度特性への影響
　3-3．紫外光透過率のHMDS依存性
4．ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
　4-1．レジストの現像特性の評価
　4-2．レジストの分子量と溶解特性の関係
　4-3．レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
　4-4．プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
　4-5．PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価
5. 水素ラジカルを用いた環境にやさしいレジスト除去技術
　5-1.　原子状水素によるレジスト除去速度の向上
　　・反応メカニズムについて検討
　5-2.　半導体プロセスにおける各種レジストの除去
　　・イオン注入レジストの除去
　　・化学構造の異なるレジストの除去
　5-3.　レジスト除去時の下地Si基板へのダメージ評価
6.　オゾンマイクロバブルを用いたポリマー薄膜 (レジスト) の分解
　6-1.　ノボラック樹脂の除去 (pH依存性、温度依存性)
　6-2.　化学構造の異なるポリマーの除去
　　・ノボラック樹脂
　　・ポリビニルフェノール
　　・ポリメタクリル酸メチル)
　6-3.　オゾンマイクロバブル水溶液中での有機物の分解

セミナー講師

リソテックジャパン株式会社 ナノサイエンス研究部　専務取締役兼部長 関口 淳 先生

■略歴：
1983年3月、芝浦工業大学応用化学科卒業。1983年4月、日本ケミテック入社。分析研究所に勤務。1985年4月、住友GCA社に入社。レジスト塗布現像装置のプロセス開発に従事。その後、レジスト解析装置および形状シミュレータのシステム開発に従事。現在、リソテックジャパン㈱専務取締役。2000年、東京電機大学にて工学博士。応用物理学会会員。高分子学会会員。
■専門および得意な分野・研究：
フォトリソグラフィー、リソグラフィープロセス開発、リソグラフィーシミュレーションの研究
■本テーマ関連学協会での活動：
フォトポリマー国際学会、SPIE等においてリソグラフィー関連論文多数。
下記、1部掲載
[1] A. Sekiguchi: ”Study of Swelling Action during Developing for ArF Resist by using QCM Method”, Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.23, No.3, pp.421-426(2010)
[2] A. Sekiguchi, Y. Matsumoto, and K. Okubo: ”Study of Leaching Analysis of Immersion Resist Components using the WEXA-2 System”, Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.23, No.3, pp.427-433(2010)
[3] A. Sekiguchi, H. Konishi, and M. Isono: ”Observation of Swelling Behavior of ArF Resist during Development by using QCM Method (2)”, Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.25, No.4, pp.467-472(2012)
[4] A. Sekiguchi, Y. Matsumoto, K. Moriyasu, Y. Morimoto, and J. J. Biafor: ”Analysis of the Generating Action of the Acid from PAG using Acid Sensitive Dyes (2)”, Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.25, No.4, pp.473-480(2012)
[5] A. Sekiguchi: ”Study of Swelling Behavior in ArF Resist during Development by the QCM method (3)” , Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.26, No.4, pp.479-483(2013)
[6] A. Sekiguchi, Y. Matsumoto, and J. J. Biafor: ”Analysis of the Generating Action of the Acid from PAG using Acid Sensitive Dyes for EUV resist”, Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.26, No.5, pp673-678(2013)
[7] A. Sekiguchi, Takeo Watanabe, and Hiroo Kinoshita: “A Study of Acid Diffusion Behaviors of PAG by using Top Coat Method for EUVL”, Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.27, No.5, pp.623-639(2014)
[8] Seiji Takahashi, Yoichi Minami, Mikio Kadoi, Yoko Matsumoto Atsushi Sekiguchi and Takeo Watanabe, "In-Situ Measurement of Outgassing Generated from EUV Resist Including Metal Oxide Nanoparticles During Electron Irradiation", Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol.27, No.5, pp.623-639(2017)
ほか

大阪市立大学大学院 工学研究科　化学生物系専攻 教授 堀邊 英夫 先生

■略歴：
昭和60年 4月 三菱電機（株）材料研究所　研究員/主任研究員/主席研究員　
平成15年 4月 高知工業高等専門学校　物質工学科 助教授
平成19年 4月 金沢工業大学　バイオ・化学部　応用化学科 教授
平成25年10月 大阪市立大学　大学院工学研究科　化学生物系専攻　教授（現在に至る）
平成26年 4月 大阪市立大学　産学官連携推進本部新産業創生研究センター長（平成29年3月まで）　
平成29年 4月 大阪市立大学　大学院工学研究科　化学生物系専攻長（平成30年3月まで）　
平成19年 4月 大阪大学　招聘教授（兼任）（現在に至る）　
平成27年 4月 東北大学　客員教授（兼任）（平成28年3月まで）　
平成28年 4月 大阪工業大学　客員教授（兼任）（平成30年3月まで）　
平成28年 4月 兵庫県立大学　客員教授（兼任）（現在に至る）　
平成29年 4月 高知工科大学　客員教授（兼任）（現在に至る）

セミナー受講料

1名49,500円(税込（消費税10％）、資料・昼食付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき38,500円
　＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。